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【華北新建】高功率半導(dǎo)體激光器芯片項目

發(fā)布時間	所屬行業(yè)	項目性質(zhì)	地區(qū)
2021-09-17	機械電子電器	新建	北京

年生產(chǎn)各種芯片100萬只：
1、車間占地407平方米，建筑面積487平方米（含公攤面積80平方米），完成建設(shè)高功率半導(dǎo)體激光器芯片生產(chǎn)線，包括外延片光刻、鍍介質(zhì)膜、鍍金屬膜、解理、鍍腔面膜和測試；
2、采用的工藝類似于半導(dǎo)體器件生產(chǎn)工藝，在外延片表面進行光刻圖形，腐蝕臺階，鍍介質(zhì)膜，光刻腐蝕介質(zhì)膜，制備雙面電極，解理，鍍光學(xué)膜等步驟，最終完成高功率激光器芯片的生產(chǎn)。

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