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【西北新建】碳化硅襯底晶片生產(chǎn)基地項目

發(fā)布時間	所屬行業(yè)	項目性質	地區(qū)
2021-11-17	機械電子電器	新建	寧夏

碳化硅襯底晶片生產(chǎn)基地:
1、項目總占地面積為110000.55m2（約合165畝），總建筑面積為78200m2；
2、主要建設1座碳化硅加工合成車間、1座碳化硅長晶車間、生活辦公區(qū)以及配套的輔助設施，項目建設完成后年產(chǎn)40萬片導電性碳化硅襯底晶片和半絕緣性碳化硅襯底晶片，其中導電性碳化硅襯底晶片32萬片，半絕緣性碳化硅襯底晶片8萬片。

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